Datasheet DE475-501N44A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE475 — Даташит

Купить DE475-501N44A на РадиоЛоцман.Цены — от 4 106 до 43 649 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D5, 6 PIN
Компонентс Ру Россия	DE475-501N44A IXYS RF	от 31 747 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	DE475-501N44A	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	DE475-501N44A IXYS	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	DE475-501N44A IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE475

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE475-501N44A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching 30MHz Maximum Frequency
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient Tc = 25°C Tc = 25°C, pulse width limited by TJM Tc = 25°C Tc = 25°C IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS, Tj 150°C, RG = 0.2 IS = 0

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 44 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: DE-475
• Количество выводов: 6
• Capacitance Ciss Typ: 5500 пФ
• Current Id Max: 44 А
• Тип корпуса: DE-475
• Power Dissipation Pd: 1.8 кВт
• Rise Time: 5 нс
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE475501N44A, DE475 501N44A