Datasheet IXFA10N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит
Наименование модели: IXFA10N80P
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 800В; 10А; 300Вт; TO263 | |||
IXFA10N80P IXYS | 23 ₽ | ||
IXFA10N80P-TRL IXYS | 197 ₽ | ||
IXFA10N80P Littelfuse | от 375 ₽ | ||
IXFA10N80P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-263
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFA10N80P IXFH10N80P IXFP10N80P IXFQ10N80P
VDSS
ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 1.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 2300 пФ
- Current Id Max: 10 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.42°C/W
- N-channel Gate Charge: 40nC
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5