Datasheet IXFB52N90P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 900 В, 52 А, PLUS264 — Даташит
Наименование модели: IXFB52N90P
![]() 14 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264 / N-Channel 900 V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264? | |||
IXFB52N90P IXYS | 480 ₽ | ||
IXFB52N90P IXYS | 2 074 ₽ | ||
IXFB52N90P IXYS | 2 252 ₽ | ||
IXFB52N90P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N CH, 900 В, 52 А, PLUS264
Краткое содержание документа:
PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFB52N90P
VDSS ID25
RDS(on) trr
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On State Resistance: 160 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PLUS264
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 52 А
- Power Dissipation Pd: 1.25 кВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- ON Semiconductor - MC33153DG