Datasheet IXFH110N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH110N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 281 до 1 185 ₽ 24 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
ЧипСити Россия	IXFH110N10P Littelfuse	281 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IXFH110N10P Littelfuse	299 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFH110N10P IXYS	358 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFH110N10P IXYS	от 1 022 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
IXFH 110N10P IXFV 110N10P IXFV 110N10PS
VDSS = 100 V ID25 = 110 A RDS(on) 15 m trr 150 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 110 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 15 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 3550 пФ
• Current Id Max: 110 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.31°C/W
• N-channel Gate Charge: 110nC
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 480 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - WLK 5