OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet IXFH120N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

IXYS IXFH120N15P

Наименование модели: IXFH120N15P

18 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
T-electron
Россия и страны СНГ
IXFH120N15P
IXYS
453 ₽
ЧипСити
Россия
IXFH120N15P
IXYS
761 ₽
Элитан
Россия
IXFH120N15P
Littelfuse
1 350 ₽
Acme Chip
Весь мир
IXFH120N15P
IXYS
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VDSS VGSM ID25 IL(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight Test Conditions TJ = 25° C to 175° C TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C External lead current limit
IXFH 120N15P IXFT 120N15P
VDSS ID25

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 150 В
  • On State Resistance: 16 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 4900 пФ
  • Current Id Max: 120 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
  • N-channel Gate Charge: 150nC
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 600 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 150 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXFH120N15P - IXYS MOSFET, N, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России