Datasheet IXFH12N100 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH12N100
Купить IXFH12N100 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 1 300 ₽ 28 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 12 А, 1.05 Ом, TO-247, Through Hole | |||
| IXFH12N100 (ST-STW11NK100Z) STMicroelectronics | 57 ₽ | ||
| IXFH12N100 IXYS | от 157 ₽ | ||
| IXFH12N100P IXYS | 656 ₽ | ||
| IXFH12N100MOSFET IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH/IXFM 10 N100 IXFH/IXFM 12 N100 1000 V 1000 V
ID25
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 1.05 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Current Id Max: 12 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 1.05 Ом
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Pulse Current Idm: 48 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Voltage Vds Typ: 1 кВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
