Datasheet IXFH12N100F - IXYS Даташит Транзистор, полевой транзистор, THROUGH HOLE — Даташит
Наименование модели: IXFH12N100F
Купить IXFH12N100F на РадиоЛоцман.Цены — от 847 до 1 215 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F Power MOSFET, N Channel, 12A, 1kV, 1.05Ω, 10V, 3V | |||
| IXFH12N100F IXYS | от 847 ₽ | ||
| IXFH12N100F IXYS | от 872 ₽ | ||
| IXFH12N100F IXYS | 1 215 ₽ | ||
| IXFH12N100F IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Транзистор, полевой транзистор, THROUGH HOLE
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Advance Technical Information
HiPerRFTM Power MOSFETs
F-Class: MegaHertz Switching
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
IXFH 12N100F VDSS IXFT 12N100F ID25 RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 1.05 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247AD
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 12 А
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
