Datasheet IXFH12N100Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH12N100Q
Купить IXFH12N100Q на РадиоЛоцман.Цены — от 1 118 до 2 018 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD | |||
| IXFH12N100Q IXYS | 1 118 ₽ | ||
| IXFH12N100Q IXYS | 1 118 ₽ | ||
| IXFH12N100Q IXYS | по запросу | ||
| IXFH12N100Q IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt
VDSS IXFH/IXFT12N100Q IXFH/IXFT10N100Q
ID25
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 1.05 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 12 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 90nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 1.05 Ом
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Pulse Current Idm: 48 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
- Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Тип транзистора: MOSFET
- Voltage Vds Typ: 1 кВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5.5 В
- Вес: 6 г
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
