Datasheet IXFH14N100Q2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH14N100Q2 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 486 до 3 341 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 14 А, 0.9 Ом, TO-247, Through Hole
T-electron Россия и страны СНГ	IXFH14N100Q2 IXYS	1 486 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFH14N100Q2 IXYS	1 794 ₽	Купить
Контест Россия	IXFH14N100Q2	2 952 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	IXFH14N100Q2 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advanced Technical Data
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
IXFH14N100Q2
VDSS = = ID25 RDS(on) =

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 900 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2.5J
• Current Id Max: 14 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 83nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 900 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Pulse Current Idm: 56 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 20V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 50mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 300 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5