Datasheet IXFH15N80 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH15N80 на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 3 017 ₽ 26 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 15А; 298Вт; TO247-3; 250нс
Maybo Весь мир	IXFH15N80 IXYS	250 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFH15N80 IXYS	360 ₽	Купить
727GS Весь мир	IXFH15N80Q IXYS	от 466 ₽	Купить
Элитан Россия	IXFH15N80Q Littelfuse	3 017 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH14N80 IXFH15N80
ID25
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 15 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 15 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 200nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 600 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Pulse Current Idm: 60 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5