Datasheet IXFH20N60 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH20N60 на РадиоЛоцман.Цены — от 231 до 2 016 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247AD
ChipWorker Весь мир	IXFH20N60Q IXYS	317 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFH20N60Q IXYS	699 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFH20N60 IXYS	от 2 016 ₽	Купить
727GS Весь мир	IXFH20N60 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH/IXFM 15 N60 IXFH/IXFM 20 N60 600 V 600 V
ID25 15 A 20 A
RDS(on) 0.50 W 0.35 W

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 350 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 151nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 350 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Pulse Current Idm: 60 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5