Datasheet IXFH24N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH24N50 на РадиоЛоцман.Цены — от 93 до 2 085 ₽ 22 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 500 В, 24 А, 0.23 Ом, TO-247, Through Hole
T-electron Россия и страны СНГ	IXFH24N50 IXYS	831 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFH24N50 IXYS	1 336 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IXFH24N50 IXYS	от 2 085 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IXFH24N50 (ST-STW20NK50Z) ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
VDSS IXFH/IXFM21N50 IXFH/IXFM/IXFT24N50 IXFH/IXFT26N50
ID25
RDS(on)
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 24 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 230 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 24 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 135nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 230 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Pulse Current Idm: 96 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5