Datasheet IXFH26N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N TO-247 лампа 30 — Даташит
Наименование модели: IXFH26N50
![]() 71 предложений от 32 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 26 А, 0.23 Ом, TO-247, Through Hole | |||
IXFH26N50 | от 327 ₽ | ||
IXFH26N50P IXYS | 902 ₽ | ||
IXFH26N50Q IXYS | по запросу | ||
IXFH26N50Q IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N TO-247 лампа 30
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
VDSS IXFH/IXFM21N50 IXFH/IXFM/IXFT24N50 IXFH/IXFT26N50
ID25
RDS(on)
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 26 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 200 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Current Id Max: 26 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 200 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Pulse Current Idm: 104 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - FK 245 MI 247 O