Datasheet IXFH26N50Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH26N50Q
Купить IXFH26N50Q на РадиоЛоцман.Цены — от 414 до 953 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 500 В, 26 А, 0.2 Ом, TO-247, Through Hole | |||
| IXFH26N50Q IXYS | от 414 ₽ | ||
| IXFH26N50Q IXYS | от 430 ₽ | ||
| IXFH26N50Q | по запросу | ||
| IXFH26N50Q IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
VDSS IXFH/IXFT 24N50Q IXFH/IXFT 26N50Q
ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 26 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 200 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J
- Current Id Max: 26 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 95nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 200 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Pulse Current Idm: 104 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5 В/мкс
- Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Тип транзистора: MOSFET
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Вес: 6 г
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
