Datasheet IXFH26N50Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH26N50Q на РадиоЛоцман.Цены — от 318 до 865 ₽ 16 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 500 В, 26 А, 0.2 Ом, TO-247, Through Hole
727GS Весь мир	IXFH26N50Q IXYS	от 558 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFH26N50Q IXYS	841 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFH26N50Q	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	IXFH26N50Q IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
VDSS IXFH/IXFT 24N50Q IXFH/IXFT 26N50Q
ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J
• Current Id Max: 26 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 95nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 200 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Pulse Current Idm: 104 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5 В/мкс
• Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5