Datasheet IXFH26N60Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

IXYS IXFH26N60Q

Наименование модели: IXFH26N60Q

Купить IXFH26N60Q на РадиоЛоцман.Цены — от 1 306 до 2 653 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков N-Channel 600 V 26A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ЧипСити Россия	IXFH26N60Q IXYS	1 306 ₽
AiPCBA Весь мир	IXFH26N60Q IXYS	1 350 ₽
Akcel Весь мир	IXFH26N60Q IXYS	от 2 653 ₽
Acme Chip Весь мир	IXFH26N60Q IXYS	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg
IXFH 26N60Q IXFT 26N60Q
VDSS ID25 RDS(on)

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 26 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 250 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3
Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J
Current Id Max: 26 А
Current Temperature: 25°C
Full Power Rating Temperature: 25°C
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -55°C
N-channel Gate Charge: 150nC
Количество транзисторов: 1
On State Resistance Max: 250 МОм
Тип корпуса: TO-247
Power Dissipation Pd: 360 Вт
Pulse Current Idm: 104 А
Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
Repetitive Avalanche Energy Max: 45mJ
Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
Тип транзистора: MOSFET
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 4.5 В
Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
Fischer Elektronik - WLK 5