Datasheet IXFH30N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH30N50 на РадиоЛоцман.Цены — от 119 до 2 732 ₽ 38 предложений от 20 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHVTM; полевой; 500В; 30А; 460Вт; TO247-3
AllElco Electronics Весь мир	IXFH30N50P IXYS	от 126 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFH30N50 IXYS	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IXFH30N50P (ST-STW19NM50N)	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	IXFH30N50Q3 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH/IXFT 30N50 IXFH/IXFT 32N50 500 V 500 V
ID25 30 A 32 A
RDS(on) 0.16 W 0.15 W

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 160 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J
• Current Id Max: 30 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 227nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 160 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 360 Вт
• Pulse Current Idm: 120 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 45mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5