Datasheet IXFH40N50Q2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH40N50Q2 на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 9 поставщиков МОП-транзистор 500V 40A
Maybo Весь мир	IXFH40N50Q2 IXYS	299 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFH40N50Q2	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFH40N50Q2 IXYS	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFH40N50Q2 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advanced Technical Data
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
IXFH40N50Q2
VDSS = 500 V = 40 A ID25 RDS(on) = 0.14

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 140 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 5.5 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2.5J
• Current Id Max: 40 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 110nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 140 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Pulse Current Idm: 160 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 20V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 50mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5