Источники питания Keen Side

Datasheet IXFH52N30Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

IXYS IXFH52N30Q

Наименование модели: IXFH52N30Q

23 предложений от 14 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(3+Tab) TO-247AD
727GS
Весь мир
IXFH52N30Q
IXYS
от 328 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXFH52N30Q
IXYS
980 ₽
IXFH52N30Q
IXYS
от 1 705 ₽
IXFH52N30Q
IXYS
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances
Preliminary data
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s Mounting torque Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC = 25°C, Chip capability TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS Ј IDM, di/dt Ј 100 A/ms, VDD Ј VDSS, TJ Ј 150°C, RG = 2 W TC = 25°C

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 52 А
  • Drain Source Voltage Vds: 300 В
  • On State Resistance: 60 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J
  • Current Id Max: 52 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • N-channel Gate Charge: 150nC
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 60 МОм
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 360 Вт
  • Pulse Current Idm: 205 А
  • Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
  • Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 300 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4 В
  • Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXFH52N30Q - IXYS MOSFET, N, TO-247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка