Datasheet IXFH58N20 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH58N20
Купить IXFH58N20 на РадиоЛоцман.Цены — от 269 до 2 723 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 58 А, 0.04 Ом, TO-247, Through Hole | |||
| IXFH58N20Q IXYS | от 269 ₽ | ||
| IXFH58N20Q IXYS | от 279 ₽ | ||
| IXFH58N20Q IXYS | 804 ₽ | ||
| IXFH58N20 IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH/IXFM42N20 IXFH/IXFM/IXFT50N20 IXFH/IXFT58N20 200 V 200 V 200 V
ID25
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 58 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Current Id Max: 58 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 40 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Pulse Current Idm: 232 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
