Datasheet IXFH6N100 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH6N100
Купить IXFH6N100 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 712 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A | |||
| IXFH6N100 (ST-STW11NK100Z) STMicroelectronics | 57 ₽ | ||
| IXFH6N100F IXYS | 600 ₽ | ||
| IXFH6N100 IXYS | от 642 ₽ | ||
| IXFH6N100Q IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH/IXFM 6 N90 IXFH/IXFM 6 N100 900 V 1000 V
ID25 6A 6A
RDS(on) 1.8 W 2.0 W
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Current Id Max: 6 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 2 Ом
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 180 Вт
- Pulse Current Idm: 24 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Voltage Vds Typ: 1 кВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
