OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet IXFH88N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

IXYS IXFH88N30P

Наименование модели: IXFH88N30P

30 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 88А; 600Вт; TO247-3
AliExpress
Весь мир
IXFH76N07-11 IXFH8N80 IXFH80N085 IXFH80N65X2 IXFH80N10Q IXFH86N30T IXFH88N30P IXFH9N80 IXFH9N100Q IXFH90N20X3 TO-247
140 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IXFH88N30P
IXYS
771 ₽
ChipWorker
Весь мир
IXFH88N30P
IXYS
1 303 ₽
IXFH88N30P
IXYS
от 2 150 ₽
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Preliminary Data Sheet
IXFH 88N30P IXFK 88N30P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 88 А
  • Drain Source Voltage Vds: 300 В
  • On State Resistance: 40 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 6300 пФ
  • Current Id Max: 88 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
  • N-channel Gate Charge: 180nC
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 600 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 300 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXFH88N30P - IXYS MOSFET, N, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России