Datasheet IXFK140N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK140N30P
![]() 31 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 300В; 140А; 1040Вт; TO264 | |||
IXFK140N30P Littelfuse | 1 094 ₽ | ||
IXFK140N30P IXYS | 1 735 ₽ | ||
IXFK140N30P IXYS | от 2 436 ₽ | ||
IXFK140N30P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET IXFK 140N30P IXFX 140N30P Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
VDSS ID25 trr
RDS(on)
= =
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 140 А
- Drain Source Voltage Vds: 300 В
- On State Resistance: 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 14000 пФ
- Current Id Max: 140 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.12°C/W
- N-channel Gate Charge: 185nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 1.04 кВт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 300 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A