Datasheet IXFK180N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK180N15P
![]() 19 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA / N-Channel 150 V 180A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) | |||
IXFK180N15P IXYS | от 774 ₽ | ||
IXFK180N15P IXYS | 1 486 ₽ | ||
IXFK180N15P IXYS | по запросу | ||
IXFK180N15P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
PolarTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
Symbol VDSS VDGR VDS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Fc Weight Test Conditions
IXFK 180N15P IXFX 180N15P
VDSS = 150 V ID25 = 180 A RDS(on) 11 m trr 200 ns
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On State Resistance: 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 7000 пФ
- Current Id Max: 180 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
- N-channel Gate Charge: 240nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 830 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A