Datasheet IXFK30N100Q2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит

Купить IXFK30N100Q2 на РадиоЛоцман.Цены — от 355 до 7 739 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Высоковольтное MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFK30N100Q2 Power MOSFET, N Channel, 30A, 1kV, 400mohm, 10V, 5V
ЧипСити Россия	IXFK30N100Q2 IXYS	2 304 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFK30N100Q2 IXYS	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	IXFK30N100Q2 IXYS	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	IXFK30N100Q2 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-264

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Q-Class
IXFK 30N100Q2 IXFX 30N100Q2
VDSS = 1000 V = 30 A ID25 RDS(on) = 0.40 trr 300 ns
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg, low trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 400 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-264
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
• Current Id Max: 30 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 186nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 400 МОм
• Тип корпуса: TO-264
• Power Dissipation Pd: 735 Вт
• Pulse Current Idm: 120 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 20V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 0.00001kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A