Datasheet IXFK32N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит

Купить IXFK32N80P на РадиоЛоцман.Цены — от 282 до 1 936 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Высоковольтное MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFK32N80P Power MOSFET, N Channel, 32A, 800V, 270mohm, 10V, 5V
AllElco Electronics Весь мир	IXFK32N80P IXYS	от 282 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFK32N80P IXYS	742 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFK32N80P IXYS	753 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFK32N80P	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-264

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFK 32N80P IXFX 32N80P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 270 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-264
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 8800 пФ
• Current Id Max: 32 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.15°C/W
• N-channel Gate Charge: 150nC
• Тип корпуса: TO-264
• Power Dissipation Pd: 830 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A