Datasheet IXFK36N60 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK36N60
![]() 25 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 36А; 650Вт; TO264 | |||
IXFK36N60P IXYS | от 652 ₽ | ||
IXFK36N60P IXYS | 752 ₽ | ||
IXFK36N60 IXYS | по запросу | ||
IXFK36N60 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
IXFK 32N60 IXFK 36N60
Preliminary Data
IXFN 32N60 IXFN 36N60
ID25 RDS(on) 0.18 0.25 t rr 250ns 250ns
VDSS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 36 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 180 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 36 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 325nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 180 МОм
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 500 Вт
- Pulse Current Idm: 144 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
- Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Тип транзистора: MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Вес: 0.00001kg
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A