Datasheet IXFK64N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK64N50P
![]() 35 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 500 В, 64 А, 0.085 Ом, TO-264, Through Hole | |||
IXFK64N50P IXYS | от 212 ₽ | ||
IXFK64N50P IXYS | 606 ₽ | ||
IXFK64N50P IXYS | 726 ₽ | ||
IXFK64N50P Littelfuse | 974 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFK 64N50P IXFX 64N50P
VDSS ID25
RDS(on) trr
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 64 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 85 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 8700 пФ
- Current Id Max: 64 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.15°C/W
- N-channel Gate Charge: 150nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 830 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A