Datasheet IXFK88N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK88N30P
![]() 31 предложений от 16 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFK88N30P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V | |||
IXFK88N30P IXYS | 940 ₽ | ||
IXFK88N30P IXYS | 996 ₽ | ||
IXFK88N30P IXYS | от 2 031 ₽ | ||
IXFK88N30P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
PolarTM HiPerFETTM Power MOSFET
IXFT88N30P IXFH88N30P IXFK88N30P
VDSS ID25 trr
RDS(on)
= =
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 88 А
- Drain Source Voltage Vds: 300 В
- On State Resistance: 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 6300 пФ
- Current Id Max: 88 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
- N-channel Gate Charge: 180nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 300 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A