Datasheet IXFK90N20 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK90N20
![]() 13 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA / Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | |||
IXFK90N20Q IXYS | 364 ₽ | ||
IXFK90N20Q Littelfuse | 3 743 ₽ | ||
IXFK90N20 IXYS | по запросу | ||
IXFK90N20Q IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Symbol Test Conditions
VDSS IXFK 90 N 20 IXFN 100 N 20 IXFN 106 N 20
ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 90 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 23 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 90 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 20 МОм
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 500 Вт
- Pulse Current Idm: 360 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A