Datasheet IXFL100N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS264 — Даташит
Наименование модели: IXFL100N50P
![]() 23 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 68А; 625Вт; ISOPLUS264TM | |||
IXFL100N50P IXYS | от 640 ₽ | ||
IXFL100N50P Littelfuse | от 3 685 ₽ | ||
IXFL100N50P Littelfuse | от 4 009 ₽ | ||
IXFL100N50P Littelfuse | 4 188 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS264
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFL 100N50P
= 500 V = 70 A RDS(on) 52 m trr 200 ns
VDSS ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 70 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 52 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 5 В
- Корпус транзистора: ISOPLUS-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 20000 пФ
- Current Id Max: 70 А
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 240nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-264
- Power Dissipation Pd: 625 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
- Rth: 0.2
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A