Datasheet IXFN100N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN100N50P на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 7 078 ₽ 28 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN100N50P	2 643 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFN100N50P IXYS	от 6 182 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	IXFN100N50P Littelfuse	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFN100N50P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 100N50P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 49 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 20000 пФ
• Current Id Max: 90 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.12°C/W
• N-channel Gate Charge: 240nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 1.04 кВт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900