Datasheet IXFN120N20 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN120N20 на РадиоЛоцман.Цены — от 87 до 3 452 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков HiPer FET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN120N20	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	IXFN120N20 IXYS	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN120N20 IXYS	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IXFN120N20 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 120N20
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On State Resistance: 17 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 17 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 480 А
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900