Datasheet IXFN120N20 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN120N20 на РадиоЛоцман.Цены — от 89 до 3 502 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков HiPer FET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
T-electron Россия и страны СНГ	IXFN120N20 IXYS	2 547 ₽	Купить
МосЧип Россия	IXFN120N20MOSFET IXYS	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	IXFN120N20 IXYS	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IXFN120N20ROHS IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 120N20
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On State Resistance: 17 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 17 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 480 А
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900