Datasheet IXFN130N30 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN130N30 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 037 до 4 062 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 130 А, 0.022 Ом, ISOTOP, Module
AllElco Electronics Весь мир	IXFN130N30 IXYS	1 037 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN130N30	по запросу	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IXFN130N30 IXYS	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IXFN130N30 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 130N30
D
VDSS = 300 V ID25 = 130 A RDS(on) = 22 m trr < 250 ns

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 130 А
• Drain Source Voltage Vds: 300 В
• On State Resistance: 22 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 6J
• Current Id Max: 130 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 380nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 22 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 700 Вт
• Pulse Current Idm: 520 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 85mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 300 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.000036kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900