Datasheet IXFN130N30 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN130N30
Купить IXFN130N30 на РадиоЛоцман.Цены — от 3 346 до 4 722 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 130 А, 0.022 Ом, ISOTOP, Module | |||
| IXFN130N30 IXYS | 3 346 ₽ | ||
| IXFN130N30 IXYS | 3 415 ₽ | ||
| IXFN130N30 IXYS | 4 690 ₽ | ||
| IXFN130N30 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 130N30
D
VDSS = 300 V ID25 = 130 A RDS(on) = 22 m trr < 250 ns
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 130 А
- Drain Source Voltage Vds: 300 В
- On State Resistance: 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 6J
- Current Id Max: 130 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 380nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 22 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Pulse Current Idm: 520 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
- Repetitive Avalanche Energy Max: 85mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: MOSFET
- Voltage Vds Typ: 300 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Вес: 0.000036kg
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900
