Datasheet IXFN140N20P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN140N20P
 Купить IXFN140N20P на РадиоЛоцман.Цены — от 261 до 5 207 ₽36 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 В, 140 А, 0.018 Ом, ISOTOP, Module | |||
| IXFN140N20P IXYS | от 261 ₽ | ||
| IXFN140N20P IXYS | 2 230 ₽ | ||
| IXFN140N20P IXYS | от 3 529 ₽ | ||
| IXFN140N20P IXYS | 3 743 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET IXFN 140N20P Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s 50/60 Hz, RMS, 1 minute Terminal torque Mounting torque Test Conditions TJ = 25°C to 175°C TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C External lead current limit TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS IDM, di/dt 100 A/s, VDD VDSS, TJ 150°C, RG = 4 TC = 25°C Maximum Ratings 200 200 ±20 ±30 115 100 280 60 100 4 10 680 -55 ...
+175 175 -55 ... +150 300 2500 V V V V A A A
VDSS = 200 V ID25 = 115 A RDS(on) 18 m 150 ns trr
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 140 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 18 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Capacitance Ciss Typ: 7500 пФ
- Current Id Max: 115 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.22°C/W
- N-channel Gate Charge: 240nC
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 680 Вт
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900
