Datasheet IXFN140N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN140N30P
![]() 24 предложений от 15 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; Ugs: ±30В; 700Вт | |||
IXFN140N30P IXYS | от 680 ₽ | ||
IXFN140N30P Littelfuse | 4 004 ₽ | ||
IXFN140N30P IXYS | от 4 337 ₽ | ||
IXFN140N30P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
Preliminary Technical Information
PolarHVTM HiPerFET IXFN 140N30P Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
VDSS ID25 trr
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 140 А
- Drain Source Voltage Vds: 300 В
- On State Resistance: 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Capacitance Ciss Typ: 14000 пФ
- Current Id Max: 115 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
- N-channel Gate Charge: 185nC
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 300 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900