Datasheet IXFN150N15 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN150N15 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 609 до 1 873 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков N-Channel 150 V 150A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN150N15	по запросу	Купить
Xinhuo Future Весь мир	IXFN150N15 IXYS	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN150N15	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFN150N15 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
IXFN 150N15
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 12.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 3J
• Current Id Max: 150 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 12.5 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 600 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.044kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900