Datasheet IXFN150N15 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN150N15 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 676 до 1 950 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, SOT-227B N-CH 150V 150A
AiPCBA Весь мир	IXFN150N15 IXYS	1 950 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFN150N15 IXYS	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	IXFN150N15 IXYS	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IXFN150N15 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
IXFN 150N15
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 12.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 3J
• Current Id Max: 150 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 12.5 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 600 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.044kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900