Datasheet IXFN170N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN170N10 на РадиоЛоцман.Цены — от 119 до 8 922 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B / N-Channel 100 V 170A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ChipWorker Весь мир	IXFN170N10 IXYS	119 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFN170N10 IXYS	862 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFN170N10 IXYS	по запросу	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IXFN170N10 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data
Symbol Test Conditions
VDSS

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 170 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 10 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 170 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 10 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 680 А
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900