Datasheet IXFN180N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN180N10 на РадиоЛоцман.Цены — от 732 до 8 605 ₽ 16 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 100 В, 180 А, 0.008 Ом, ISOTOP, Module
T-electron Россия и страны СНГ	IXFN180N10 IXYS	862 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFN180N10 IXYS	6 368 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IXFN180N10 IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN180N10	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
IXFN 180N10
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 180 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 3J
• Current Id Max: 180 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 8 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 720 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.042kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900