Datasheet IXFN180N20 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN180N20
![]() 13 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B / N-Channel 200 V 180A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | |||
IXFN180N20 IXYS | 4 075 ₽ | ||
IXFN180N20 | по запросу | ||
IXFN180N20 IXYS | по запросу | ||
IXFN180N20 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Preliminary data
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IL(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS IISOLЈ 1 mA t = 1 min t=1s Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC = 25°C, Chip capability Terminal current limit TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS Ј IDM, di/dt Ј 100 A/ms, VDD Ј VDSS, T J Ј 150°C, RG = 2 W TC = 25°C
IXFN 180N20
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 10 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 3
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
- Current Id Max: 180 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 10 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Pulse Current Idm: 720 А
- Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Вес: 0.046kg
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900