Datasheet IXFN200N07 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN200N07 на РадиоЛоцман.Цены — от 139 до 6 618 ₽ 25 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
AiPCBA Весь мир	IXFN200N07 IXYS	2 001 ₽	Купить
IC Home Весь мир	IXFN200N07 IXYS	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IXFN200N07 IXYS	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFN200N07 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
VDSS IXFN 200 N06 IXFN 200 N07 60 V 70 V
ID25 200 A 200 A
RDS(on) 6 6 m m

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 А
• Drain Source Voltage Vds: 70 В
• On State Resistance: 6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2J
• Current Id Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 6 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 520 Вт
• Pulse Current Idm: 600 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 70 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.044kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900