Datasheet IXFN200N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN200N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 206 до 5 685 ₽ 26 предложений от 15 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 680Вт
T-electron Россия и страны СНГ	IXFN200N10P IXYS	1 505 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN200N10P IXYS	от 1 597 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFN200N10P Littelfuse	от 4 776 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFN200N10P	5 089 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS, IISOL 1 mA, Test Conditions
IXFN 200N10P
VDSS = 100 V ID25 = 200 A RDS(on) 7.5 m trr 150 ns

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 7.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 7600 пФ
• Current Id Max: 200 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.22°C/W
• N-channel Gate Charge: 235nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 680 Вт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900