Datasheet IXFN230N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN230N10 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 17 338 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B / N-Channel 100 V 230A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
AiPCBA Весь мир	IXFN230N10 IXYS	2 914 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IXFN230N10 IXYS	17 338 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IXFN230N10 IXYS	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN230N10 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advanced Technical Information
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 230N10
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 230 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Current Id Max: 230 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance Max: 6 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 700 Вт
• Pulse Current Idm: 920 А
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900