Datasheet IXFN24N100 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN24N100 на РадиоЛоцман.Цены — от 156 до 13 042 ₽ 37 предложений от 20 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами
ЭИК Россия	IXFN24N100 IXYS	от 8 182 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IXFN24N100 IXYS	от 10 087 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFN24N100F IXYS	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IXFN24N100 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
VDSS
ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 24 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 390 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 3J
• Current Id Max: 24 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 390 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 96 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5 В/мкс
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 0.04kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900