Datasheet IXFN26N90 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN26N90 на РадиоЛоцман.Цены — от 716 до 3 610 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B / N-Channel 900 V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
AiPCBA Весь мир	IXFN26N90 IXYS	2 322 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN26N90	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN26N90 IXYS	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IXFN26N90 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 26N90 Single Die MOSFET
IXFN 25N90 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
G D
VDSS 900 V 900 V
ID (cont) 26 A 25 A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 900 В
• On State Resistance: 300 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 3J
• Current Id Max: 26 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 300 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 104 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5 В/мкс
• Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 900 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 0.044kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900