Datasheet IXFN27N80Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN27N80Q на РадиоЛоцман.Цены — от 110 до 6 391 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 27 А, 0.32 Ом, ISOTOP, Module
727GS Весь мир	IXFN27N80Q IXYS	от 110 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN27N80Q IXYS	от 2 427 ₽	Купить
IC Home Весь мир	IXFN27N80Q IXYS	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFN27N80Q IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
Single Die MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Preliminary data sheet
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS IISOL 1 mA t = 1 min t=1s TC = 25°C TC = 25°C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150°C, RG = 2 TC = 25°C Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM
IXFN 27N80Q VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 27 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 320 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4.5 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2.5J
• Current Id Max: 27 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 320 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 520 Вт
• Pulse Current Idm: 108 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Вес: 0.04kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900