Datasheet IXFN32N120 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN32N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 925 до 19 697 ₽ 27 предложений от 19 поставщиков Высоковольтное MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFN32N120 Power MOSFET, N Channel, 32A, 1.2kV, 350mohm, 10V, 5V
ЧипСити Россия	IXFN32N120 IXYS	2 550 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFN32N120 IXYS	2 683 ₽	Купить
727GS Весь мир	IXFN32N120P IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN32N120P	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advanced Technical Data
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 32N120
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
• On State Resistance: 350 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
• Current Id Max: 32 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 400nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 350 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 780 Вт
• Pulse Current Idm: 128 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 15V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 300 нс
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 1.2 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 0.000036kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900