Datasheet IXFN36N100 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN36N100
![]() 25 предложений от 17 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами | |||
IXFN36N100 IXYS | от 14 338 ₽ | ||
IXFN36N100 IXYS | по запросу | ||
IXFN36N100 IXYS | по запросу | ||
IXFN36N100 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS IISOL 1 mA t = 1 min t=1s Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C, Chip capability TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150°C, RG = 2 TC = 25°C
IXFN 36N100
VDSS ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 36 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 240 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 3
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
- Current Id Max: 36 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 240 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Pulse Current Idm: 144 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5 В/мкс
- Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 1 кВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5.5 В
- Вес: 0.046kg
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900