Datasheet IXFN44N50Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN44N50Q на РадиоЛоцман.Цены — от 1 550 до 1 673 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B / N-Channel 500 V 44A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ЧипСити Россия	IXFN44N50Q IXYS	1 550 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	IXFN44N50Q IXYS	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	IXFN44N50Q IXYS	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFN44N50Q IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
VDSS IXFN 44N50Q IXFN 48N50Q
ID25
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 44 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 120 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2.5J
• Current Id Max: 44 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 120 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Pulse Current Idm: 176 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.044kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900