Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet IXFN44N80 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

IXYS IXFN44N80

Наименование модели: IXFN44N80

27 предложений от 18 поставщиков
Высоковольтное MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80P Power MOSFET, N Channel, 44A, 800V, 190mohm, 10V, 5V
AllElco Electronics
Весь мир
IXFN44N80P
IXYS
от 645 ₽
ЧипСити
Россия
IXFN44N80P
IXYS
1 578 ₽
IXFN44N80P
Littelfuse
от 3 753 ₽
IXFN44N80
IXYS
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Symbol V DSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS IISOL 1 mA t = 1 min t=1s Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C, Chip capability TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150°C, RG = 2 TC = 25°C
IXFN 44N80
VDSS ID25

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 44 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 165 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: ISOTOP
  • Количество выводов: 3
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
  • Current Id Max: 44 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • N-channel Gate Charge: 380nC
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 165 МОм
  • Тип корпуса: ISOTOP
  • Power Dissipation Pd: 700 Вт
  • Pulse Current Idm: 800 А
  • Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
  • Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
  • Способ монтажа: Screw
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4 В
  • Вес: 0.000036kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA121807A
  • SCHRODER - 20900

На английском языке: Datasheet IXFN44N80 - IXYS MOSFET, N, SOT-227B

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка